| 型号： | PUMZ1,115 | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | NXP Semiconductors | 描述： | TRANS NPN/PNP 40V 100MA SOT363 |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 阵列 |
| PUMZ1,115 PDF |  |
| 特色产品 | NXP - I2C Interface |
| 标准包装 | 3,000 |
| 系列 | - |
| 晶体管类型 | NPN，PNP |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 100mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 40V |
| Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大） | 200mV @ 5mA，50mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | - |
| 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 120 @ 1mA，6V |
| 功率 - 最大 | 300mW |
| 频率 - 转换 | 100MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装 | 6-TSSOP |
| 包装 | 带卷 (TR) |